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半導體摻雜技術在現代電子科技領域占據著舉足輕重的地位。簡單來說，它是通過向純凈半導體材料中有意引入雜質原子，從而改變半導體電學性能的技術。在芯片制造等關鍵產業中，半導體摻雜技術的應用極為廣泛。通過精確控制雜質種類和濃度，能讓半導體具備特定的導電特性，為高性能電子器件的誕生奠定基礎。接下來，讓我們深入探究這一技術的奧秘。

什么叫半導體摻雜技術

1、半導體的常用摻雜技術主要有兩種，即高擴散和離子注入。摻入的雜質主要有兩類，第一類是提供載流子的受主雜質或施主雜質，第二類是產生復合中心的重金屬雜質。

2、熱擴散技術是對于施主或受主雜質的摻入，就需要進行較高溫度的熱擴散。為了讓晶體中產生出大量的晶格空位，所以，就必須對晶體加熱，讓晶體原子的熱運動加劇，以使得某些原子獲得足夠高的能量而離開晶格位置、留下空位。

3、離子注入技術是為了使施主或受主雜質原子能夠進入到晶體中去，需要首先把雜質原子電離成離子，并用強電場加速、讓這些離子獲得很高的動能，然后再直接轟擊晶體。