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在計算機硬件的世界里,內存時序是一個至關重要卻常被忽視的概念。簡單來說,內存時序描述了內存在進行數據讀寫操作時的延遲時間。它包含了多個參數,如CL、tRCD、tRP等,這些參數數值的大小直接影響著內存的響應速度和性能表現。了解內存時序,能幫助我們更合理地選擇內存產品,以滿足不同的使用需求,無論是日常辦公還是游戲、專業設計等場景。
1、內存時序(英語:Memory timings或RAM timings)是描述同步動態隨機存取存儲器(SDRAM)性能的四個參數:CL、TRCD、TRP和TRAS,單位為時鐘周期。它們通常被寫為四個用破折號分隔開的數字,例如7-8-8-24。
2、第四個參數(RAS)經常被省略,而有時還會加入第五個參數:Command rate(命令速率),通常為2T或1T,也寫作2N、1N。這些參數指定了影響隨機存取存儲器速度的潛伏時間(延遲時間)。較低的數字通常意味著更快的性能。決定系統性能的最終元素是實際的延遲時間,通常以納秒為單位。
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